TSMC、改良版5nmプロセス「N4X」での半導体試作を2023年上半期に開始

 
台湾メディア経済日報が、TSMCは5nmプロセスの改良版で、ハイ・パフォーマンス・コンピューティング（HPC）に特化した「N4X」での半導体試作を、2023年上半期（1月〜6月）に開始すると報じました。

動作電圧、周波数が向上

経済日報によれば、TSMCは5nmプロセスでの量産経験をもとに、改良版であるN4Xでの半導体製造技術を完成させたとのことです。
 
N4Xは1.2ボルトを超える電圧での動作が可能で、5nmプロセス「N5」よりも最大15%、4nmプロセスである「N4P」よりも最大4%高い性能を発揮します。
 
これにより、N4XはTSMCの5nmプロセスファミリーで最高の性能と動作周波数の向上が得られる見通しで、HPC向けの高い要求を満たすことが可能と期待されています。

3nmプロセスでの半導体試作も開始

TSMCはN4Xよりも先に、同社初となる3nmプロセス「N3」での半導体試作を開始したとみられています。
 
 
Source:経済日報
Photo:VideoCardz
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