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    Samsung、TSMCに先駆けて3nmチップの生産を開始〜5nm比45%省電力

    Samsungのロゴ

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    SamsungがTSMCに先駆け、3nmプロセスでのチップ生産を開始したと発表しました。
     
    第1世代の3nmプロセスは5nmプロセスに比べて45%低消費電力でかつ23%性能が高く、第2世代以降はさらに改善されるとのことです。

    世界初のGAA FETでの3nmプロセスチップ生産を開始したSamsung

    Samsungは2022年6月30日に同社のブログを更新し、3nmプロセスでのチップ生産を開始したと発表しました。
     
    このプロセスの特徴は、チャネル部分の全側面がゲートで囲まれたGate-All-Around(GAA) FETを採用した点です。
     
    教科書的なトランジスタが1面のみ、現在の先端プロセスで主流であるFinFETが3面なのに対し、GAA FETは4面がゲートに囲まれており、FinFETよりもさらに駆動力が向上しています。
     
    Samsungによると、第1世代のSamsung 3nmプロセスは同社の5nmプロセスと比較し、45%の消費電力削減と23%の性能向上、16%の面積縮小を達成しているとのことです。

    第2世代以降はさらに性能が向上

    Samsungは今後も3nmプロセスを改善し、第2世代では5nmプロセスに対し消費電力を50%、性能を30%、面積を35%削減することを目標にしています
     
    ただ、これらの比較はすべて5nm比でおこなわれており、Snapdragon 8 Gen 1などが採用する4nmプロセスとの比較はされていません。
     
    また、Googleの第2世代TensorチップはSamsungが生産するといわれていますが、今回発表された3nmプロセスではなく4nmプロセスでの生産と予想されています。

     
     
    Source: Samsung via 9to5Google
    (ハウザー)

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