Galaxy S8のメモリも異なる規格が混在か〜ただちに公式サイトから文言削除

 
HuaweiがフラッグシップモデルのP 10シリーズにて、異なる規格のフラッシュメモリをこっそり混在させていた件が大きな問題となりましたが、SamsungもGalaxy S8シリーズで同様に異なる規格を用いていたことが発覚しました。

東芝のフラッシュメモリには2種類ある

Galaxy S8シリーズは、異なるサプライヤーから様々なパーツを調達しています。例えば、CPUはQualcommのSnapdragon 835と自社製のExynos 8895ですし、カメラセンサーもソニーとSystem LSIが供給を行っています。これらはもとより明らかにされている事実です。しかし、規格が違うパーツ――広告に従えば存在してはいけない――を混在させていたとなれば、話は変わってきます。
 
これまでSamsungは、Galaxy S8シリーズのフラッシュメモリには、UFS2.1という最新の規格が用いられていることをアピールしてきました。しかし、開発者の調べで発覚したのは、UFS2.1だけでなく、1つ前の規格であるUFS2.0を用いたメモリも用いていたという事実でした。用いられていたのは以下の3種類です。
 

• Samsung UFS 2.1 (KLUCG4J1ED-B0C1): Galaxy S8 and S8+ （Exynos搭載モデル）
• 東芝 UFS 2.1 (THGAF4G9N4LBAIRA or THGAF4G9N4LBAIRB): Galaxy S8+ （Snapdragon搭載モデル）
• 東芝 UFS 2.0 (THGBF7G9L4LBATRA or THGBF7G9L4LBATRC): Galaxy S8 （Snapdragon搭載モデル）

 
幸いにも、処理速度が数倍違うeMMC5.1を搭載していたHuaweiのP 10と異なり、Galaxy S8のUFS2.0とUFS2.1の間には、はっきりと体感で分かるほどの性能差はありません。それでも原理上、UFS2.0では500MB/sの処理能力が、USF2.1では800MB/sにまで向上することは確かです。
 
そして何より、これが好ましくない事態であることは、指摘されるやいなや、公式サイトから「UFS2.1使用」という文言を消したSamsungの行動に表れているとも言えるでしょう。
 
 
Source：SamMobile
(kihachi)