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今年9月の発売が見込まれるiPhone7には、最新規格のメモリが採用され、処理速度が30%程度向上する模様です。
iPhone6sのメモリを製造しているサムスンは今年、新開発の10nmプロセスのDDR 4RAMを発表しています。この新世代メモリは、従来品よりも約30%速く動作し、信頼性が20%向上しています。
この高性能メモリがiPhone7に採用されるだろう、とニュースメディアBGRが報じています。
現行モデルであるiPhone6s/6s Plusは、メモリ容量が従来モデルの2倍である2GBに引き上げられると同時に、最新規格のLPDDR4 RAMを採用し、高速処理と省電力を両立しています。
なお、iPhone6sにはサムスン製、iPhone6s PlusにはSK Hynix製のメモリが採用されています。
デュアルカメラを採用するiPhone7 Plusには、高度な画像処理のためメモリ容量が3GBに増量されるとの予測もあります。
Source:BGR
(hato)

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