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iPhone6sのメモリ、進化したのは量だけじゃない！

iPhone6s/6s Plusは、ベンチマークテストの結果から、1年前のモデルであるiPhone6/6 Plusを大幅に上回る性能を持つことが明らかになっています。この高性能化には、メモリが1GBから2GBに倍増しただけではなく、採用されたメモリの規格の進化も大いに貢献しています。
 

 
発売されたばかりのiPhone6sとiPhone6s Plusの分解レポートをiFixitが公開していますが、分解されたiPhone6sにはサムスン製、iPhone6s PlusにはSK Hynix製のLPDDR4 RAMが搭載されていることが確認されています。

iPhone6s/6sPlusに搭載のLPDDR4は高性能で省電力

LPDDR4はメモリの最新規格であり、iPhone5sやiPhone6/6 Plusに搭載されていたLPDDR3と比べて2倍の処理速度を誇るだけでなく、省電力性能に優れているのが特徴です。
 
iPhone6s/6s Plusでは、バッテリー容量がiPhone6/6 Plusから減っているにもかかわらず、利用可能時間が同じとなっていますが、これはiOS9による最適化に加えて、LPDDR4による省電力化も効いていると考えられます。
 

 
今年1月には、サプライチェーンからの情報として、iPhone6sにLPDDR4規格のメモリが搭載されるとの情報が報じられていました。
 

3世代を動画で比較すると性能の差が一目瞭然！

スマートフォンメーカーであると同時にメモリのサプライヤーでもあるサムスンは、今年前半にリリースしたGalaxy S6シリーズにLPDDR4規格のメモリをいち早く搭載していました。
 
以下の動画は、LPDDR2（iPhone3GSからiPhone5/5cに搭載）、LPDDR3（iPhone5sやiPhone6/6 Plusに搭載）、そしてiPhone6s/6s Plusに搭載されたLPDDR4の性能を比較した動画です。
 

 
 
Source:BGR
Photo:iFixit
(hato)