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東芝が開発成功した新型3D NANDメモリはiPhone7のためか

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iPhone7 コンセプトデザイン
 
iPhone6sが9月半ばにリリースされるという観測が日に日に強まっているなか、市場の関心は早くもiPhone7へと移っています。そんななか、サプライヤー周りから、iPhone7に搭載されるメモリは256Gビットの3D NAND型フラッシュメモリなのではないかといった話が持ち上がっています。

相次いで開発成功を発表


今週に入り、東芝とSanDiskが相次いで、256Gビットで48段積層の3D NAND型フラッシュメモリ(32GB)を開発、近く出荷開始することを明らかにしました。東芝とSanDiskは、ともにアップルにフラッシュメモリを卸す主要サプライヤーであり、このことから新たなiPhoneに搭載されるのではないかという観測が出ています。
 
3D NANDは、従来の平面構造NANDと比較して、積層化によって容量が同じであってもチップ面積を小さく出来るうえ、速いスピード、上書き/消去のプロセスに対する耐久度がある点などから、近年各社が熾烈な開発競争を行っています。
 
今回開発された15nmプロセスを用いたメモリは、現存する最も高密度なメモリよりも、2倍の性能を発揮することが出来るとのことです。

来年のiPhone7へ搭載か


東芝とSanDiskはクライアントがどこであるかを明らかにしていませんが、ニュースサイトBGRによれば、アップルである可能性が高い模様です。
 
これから出荷開始となるため、さすがにiPhone6sへは間に合いそうもないですが、iPhoneサプライヤーの2大巨頭がこぞって256Gビットメモリを開発したことは、来年のiPhone7へ期待を大きく寄せることが出来そうですね。
 
 
Source:BGR
Photo:Martin Hajek
(kihachi)

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